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IXTH30N50L2

Linear L2TM Power MOSFET with extended FBSOA N-Channel Enhancement Mode

N-Channel Enhancement Mode Features ● Designed for linear operation ● International standard packages ● Unclamped Inductive Switching (UIS) rated. ● Molding epoxies meet UL 94 V-0 flammability classification ● Integrated gate resistor for easy paralleling ● Guaranteed FBSOA at 75°C Applica

文件:147.93 Kbytes 页数:5 Pages

IXYS

艾赛斯

IXTH30N50L2

N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID= 30A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 500V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 215mΩ(Max) @ VGS= 10V APPLICATIONS ·Current Regulators ·Solid State Circuit Breakers

文件:2.9793 Mbytes 页数:9 Pages

ISC

无锡固电

IXTH30N50L2

N-Channel Power MOSFET

文件:159.3 Kbytes 页数:6 Pages

IXYS

艾赛斯

IXTH30N50L2

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:387.84 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IXTH30N50L2

N通道线性MOSFET

• 专为线性操作设计\n• 75°C条件下FBSOA得到保证\n• 低导通电阻RDS(on)\n• 雪崩评级\n• 国际标准包装\n• 拥有UL 94 V-0易燃性认证 成型环氧树脂;

Littelfuse

力特

IXTH30N50L2_V01

N-Channel Power MOSFET

文件:159.3 Kbytes 页数:6 Pages

IXYS

艾赛斯

详细参数

  • 型号:

    IXTH30N50L2

  • 功能描述:

    MOSFET 30.0 Amps 500V 0.002 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多IXTH30N50L2供应商 更新时间2025-10-16 10:02:00