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IXTH50N20

MegaMOS FET

MegaMOS™ FET N-Channel Enhancement Mode Features • International standard packages • Low RDS (on) HDMOSTM process • Rugged polysilicon gate cell structure • Low package inductance (

文件:111.4 Kbytes 页数:4 Pages

IXYS

艾赛斯

IXTH50N20

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:380.02 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IXTH50N20

N通道标准高电压MOSFET

• 国际标准包装\n• 快速切换时间\n• 雪崩评级\n• 坚固的多晶硅栅极单元结构\n• 超低的RDS(on);

Littelfuse

力特

IXTH50N20

Trans MOSFET N-CH 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD

NJS

新泽西半导体

技术参数

  • Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm):

    0.045

  • Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A):

    50

  • Configuration:

    Single

  • Package Type:

    TO-247

  • Sample Request:

    No

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IXTH50N20供应商 更新时间2026-10-8 14:17:00