N-Channel Enhancement Mode

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IXYS

艾赛斯

丝印：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

N通道标准 Polar™ MOSFET

• 国际标准包装 \n• 动态dv/dt评级\n• 较低的RDS(on)和Qg\n• 雪崩评级\n• 较低的封装电感;

Littelfuse

力特

MegaMOSFET

N-Channel Enhancement Mode Features • International standard packages • Low RDS(on) HDMOS™ process • Rugged polysilicon gate cell structure • Low package inductance (

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IXYS

艾赛斯

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件：83.41 Kbytes 页数：4 Pages

MICROSEMI

美高森美

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

Features • Ultrafast body diode • Rugged polysilicon gate cell structure • Increased Unclamped Inductive Switching (UIS) capability • Hermetically sealed, surface mount power package • Low package inductance • Very low thermal resistance • Reverse polarity available upon request

文件：48.19 Kbytes 页数：2 Pages

MICROSEMI

美高森美