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IXTA76N25T | Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
文件：213.04 Kbytes 页数：6 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS | |
IXTA76N25T | 丝印：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：299.57 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
IXTA76N25T | N通道沟槽栅 Gen1 MOSFET • 国际标准包装\n• 低RDS(ON)\n• 雪崩评级\n• 高电流处理能力\n• 快速本征整流器; | Littelfuse 力特 | Littelfuse | |
Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
文件：213.04 Kbytes 页数：6 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：383.63 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | ||
Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
文件：213.04 Kbytes 页数：6 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS |
详细参数
- 型号：
IXTA76N25T
- 功能描述：
MOSFET 76 Amps 250V 39 Rds
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
2025+ |
TO-263 |
32560 |
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询价 | ||
IXYS |
23+ |
TO-263-3 |
11846 |
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IXYS |
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TO263 |
73804 |
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IXYS/艾赛斯 |
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IXYS/艾赛斯 |
23+ |
SOT263 |
50000 |
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IXYS |
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IXYS/艾赛斯 |
21+ |
SOT-263 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
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IXYS |
22+ |
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 |
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