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IXTI76N25T	文件：213.04 Kbytes Page：6 Pages	Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
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IXTP76N25T	文件：332.11 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=76A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=44mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
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