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IXTH160N10T	文件：383.32 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTH160N10T	文件：192.48 Kbytes Page：5 Pages	Preliminary Technical Information TrenchMVTM Power MOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTP160N10T	文件：295.07 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTP160N10T	文件：180.6 Kbytes Page：5 Pages	TrenchMVPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTQ160N10T	文件：192.48 Kbytes Page：5 Pages	PreliminaryTechnicalInformationTrenchMVTMPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTQ160N10T	文件：301.21 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TMP160N10A	文件：912.63 Kbytes Page：7 Pages	100VN-ChannelTrenchMOSFET	WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company 紫光国微紫光国芯微电子股份有限公司	WUMC
TSM160N10	文件：486.78 Kbytes Page：6 Pages	100VN-ChannelPowerMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM160N10LCR	文件：308.54 Kbytes Page：6 Pages	Lowgatechargeforfastpowerswitching	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
VSH160N10MS	文件：459.39 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •LowOn-Resistance •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverters,HighSpeedSwitching	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
IXTH160N10T
功能描述：
MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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