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IXTH160N10T

Preliminary Technical Information TrenchMVTM Power MOSFET

文件:192.48 Kbytes 页数:5 Pages

IXYS

艾赛斯

IXTH160N10T

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:383.32 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IXTH160N10T

N通道沟槽栅 Gen1 MOSFET

• 国际标准包装\n• 低RDS(ON)\n• 雪崩评级\n• 高电流处理能力\n• 快速本征整流器;

Littelfuse

力特

IXTP160N10T

TrenchMV Power MOSFET

文件:180.6 Kbytes 页数:5 Pages

IXYS

艾赛斯

IXTP160N10T

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:295.07 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IXTQ160N10T

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

详细参数

  • 型号:

    IXTH160N10T

  • 功能描述:

    MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IXYS/艾赛斯
17+
TO-247
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IXYS
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更多IXTH160N10T供应商 更新时间2025-10-5 14:00:00