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IXTA7N60P	文件：299.87 Kbytes Page：2 Pages	Marking：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTA7N60P	文件：764.86 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTA7N60PM	文件：117.43 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features •Plasticovermoldedtabforelectrical isolation •Internationalstandardpackage •Avanlancherated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spacesavings Appli	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTP7N60P	文件：764.86 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTP7N60P	文件：295.69 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTP7N60PM	文件：296.32 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) •Staticdrain-sourceon-resistance :RDS(on)≤1.1Ω@VGS=10V •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATION •DC/DCConverter •Idealforhigh-frequenc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTP7N60PM	文件：117.43 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrinsicDiode N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features •Plasticovermoldedtabforelectrical isolation •Internationalstandardpackage •Avanlancherated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spacesavings Appli	IXYS IXYS Corporation	IXYS
JCS7N60	文件：819.1 Kbytes Page：12 Pages	N-CHANNELMOSFET APPLICATIONS Highefficiencyswitchmodepowersupplies Electroniclampballastsbasedonhalfbridge UPS FEATURES Lowgatecharge LowCrss(typical23pF) Fastswitching 100avalanchetested Improveddv/dtcapability RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
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JCS7N60C-O-C-N-B	文件：819.1 Kbytes Page：12 Pages	N-CHANNELMOSFET APPLICATIONS Highefficiencyswitchmodepowersupplies Electroniclampballastsbasedonhalfbridge UPS FEATURES Lowgatecharge LowCrss(typical23pF) Fastswitching 100avalanchetested Improveddv/dtcapability RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC

详细参数

型号：
IXTA7N60P
功能描述：
MOSFET 7 Amps 600V 1.1 Ohms Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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