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IXTH200N10T	文件：380.59 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTH200N10T	文件：175.47 Kbytes Page：5 Pages	TrenchMVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTK200N10P	文件：564.92 Kbytes Page：5 Pages	PolarHTTMPowerMOSFET PolarHT™PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features •Internationalstandardpackages •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTK200N10P	文件：294.87 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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详细参数

型号：
IXTH200N10T
功能描述：
MOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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