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IXTH130N10T	文件：145.91 Kbytes Page：5 Pages	TrenchMVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTH130N10T	文件：272.86 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ET130N10-Z	文件：2.77001 Mbytes Page：14 Pages	StandardSizeToggleSwitch	COPALCopal Electronics 尼得科科智博电子尼得科科智博电子(上海)有限公司	COPAL
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GT130N10MA	文件：1.23216 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheGT130N10MAusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. AEC-Q101Qualified Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
IXFA130N10T	文件：299.61 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFA130N10T	文件：156.44 Kbytes Page：5 Pages	TrenchMVPowerMOSFETHiperFET TrenchMV™PowerMOSFETHiperFET™ N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Fastintrisicdiode Features •Ultra-lowOnResistance •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect •175°COperatingTemperature •Fastintrinsicdiode	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFP130N10T	文件：295.44 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
IXTH130N10T
功能描述：
MOSFET 130 Amps 100V 8.5 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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