MegaMOSFET

N-Channel Enhancement Mode Features International standard packages Low RDS (on)HDMOS™ process Rugged polysilicon gate cell structure Low package inductance (

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IXYS

艾赛斯

N-Channel Enhancement Mode

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NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

N通道标准高电压MOSFET

• 国际标准包装\n• 快速切换时间\n• 雪崩评级\n• 坚固的多晶硅栅极单元结构\n• 超低的RDS(on);

Littelfuse

力特

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

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IXYS

艾赛斯

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

N-Channel Enhancement Mode

文件：565.2 Kbytes 页数：4 Pages

IXYS

艾赛斯

N通道线性MOSFET

• 专为线性操作设计\n• 75°C条件下FBSOA得到保证\n• 雪崩评级\n• 国际标准包装\n• 拥有UL 94 V-0易燃性认证 成型环氧树脂;

Littelfuse

力特

N-Channel: Standard Power MOSFETs

·Breakdown voltages (VDSS) up to 4500V\n·Current ratings (ID25) ranging from 100mA to 250A\n·Ultra-low RDS(on) - as low as 7.5 milliohm\n·High power density\n·Easy to mount\n·PCB space savings\n·International standard and proprietary high voltage packages;

Littelfuse

力特