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IXFR48N60P	文件：149.7 Kbytes Page：4 Pages	PolarHV HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS247	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFR48N60Q3	文件：149.15 Kbytes Page：5 Pages	Advance Technical Information	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFK48N60	文件：329.09 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=48A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.14Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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IXFK48N60P	文件：222.84 Kbytes Page：4 Pages	PolarHVTMHiPerFETPowerMOSFETN-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrinsicDiode PolarHV™HiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features •Internationalstandardpackages •Fastrecoverydiode •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomou	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFN48N60P	文件：90.55 Kbytes Page：4 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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详细参数

型号：
IXFR48N60
功能描述：
MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/32A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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