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IXFT16N120P | Polar Power MOSFET HiPerFET Polar™ HiPerFET™ Power MOSFETs N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Features • International Standard Packages • Fast Recovery Diode • Avalanche Rated • Low Package Inductance Advantages • Easy to Mount • Space Savings • High Power Density Applications • Hig 文件：124.22 Kbytes 页数：4 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS | |
IXFT16N120P | Power MOSFETs 文件：135.72 Kbytes 页数：6 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS | |
Power MOSFETs 文件：135.72 Kbytes 页数：6 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS | ||
Power MOSFET 文件：198.14 Kbytes 页数：7 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS | ||
IXFT16N120P | N通道HiPerFET • 国际标准包装\n• 动态dv/dt额定值\n• 雪崩评级\n• 快速本征整流器\n• 较低的QG和RDS(on)\n• 较低的漏极至弹片电容\n• 较低的封装电感; | Littelfuse 力特 | Littelfuse | |
N通道HiPerFET • 国际标准包装\n• 动态dv/dt额定值\n• 雪崩评级\n• 快速本征整流器\n• 较低的QG和RDS(on)\n• 较低的漏极至弹片电容\n• 较低的封装电感; | Littelfuse 力特 | Littelfuse |
详细参数
- 型号：
IXFT16N120P
- 功能描述：
MOSFET 16 Amps 1200V 1 Rds
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-268S |
52388 |
原装正品 华强现货 |
询价 | ||
IXYS |
1931+ |
N/A |
18 |
加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物 |
询价 | ||
IXYS |
25+ |
TO-268 |
326 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
询价 | ||
IXYS |
22+ |
NA |
18 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
25+ |
TO-268 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
IXYS |
22+ |
TO2683 D3Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-268D3P |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
IXYS |
2022+ |
TO-268-3,D3Pak(2 引线 + 接片 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
2450+ |
TO-268D3P |
6540 |
原装现货或订发货1-2周 |
询价 | ||
IXYS(艾赛斯) |
25+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
询价 |
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- IXFT30N60Q
- IXFT32N50
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- IXFT4N100Q
- IXFT50N30Q3
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- IXFT52N30Q
- IXFT58N20
- IXFT60N20
- IXFT60N25Q
- IXFT66N20Q
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- IXFT6N100Q
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