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IXFK48N60	文件：329.09 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=48A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.14Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFK48N60P	文件：222.84 Kbytes Page：4 Pages	PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode PolarHV™HiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features •Internationalstandardpackages •Fastrecoverydiode •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomou	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFK48N60P	文件：329.13 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=48A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.135Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFK48N60Q3	文件：132.73 Kbytes Page：5 Pages	Advance Technical Information	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFN48N60P	文件：90.55 Kbytes Page：4 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFR48N60P	文件：149.7 Kbytes Page：4 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFETISOPLUS247	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXFX48N60P	文件：222.84 Kbytes Page：4 Pages	PolarHVTMHiPerFETPowerMOSFETN-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrinsicDiode PolarHV™HiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features •Internationalstandardpackages •Fastrecoverydiode •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomou	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS

详细参数

型号：
IXFK48N60
功能描述：
MOSFET 600V 48A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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