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IXFT30N60Q	文件：591.42 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated,Highdv/dt,LowQg Features •Lowgatecharge •Internationalstandardpackages •EpoxymeetUL94V-0,flammabilityclassification •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Avalancheenergyandcurr	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFT30N60X	文件：190.96 Kbytes Page：6 Pages	PreliminaryTechnicalInformation	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFV30N60P	文件：330.12 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVTMHiPerFETPowerMOSFETN-ChannelEnhancementMode PolarHV™HiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode FastRecoveryDiode AvalancheRated Features ●FastRecoverydiode ●UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ●Internationalstandardpackages ●Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFV30N60PS	文件：330.12 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVTMHiPerFETPowerMOSFETN-ChannelEnhancementMode PolarHV™HiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode FastRecoveryDiode AvalancheRated Features ●FastRecoverydiode ●UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ●Internationalstandardpackages ●Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGH30N60	文件：64.75 Kbytes Page：2 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT Features Internationalstandardpackages 2ndgenerationHDMOS™process LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses Highcurrenthandlingcapability MOSGateturn-on -drivesimplicity Voltageratingguaranteedathightemperature(125°C)	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGH30N60A	文件：64.75 Kbytes Page：2 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT Features Internationalstandardpackages 2ndgenerationHDMOS™process LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses Highcurrenthandlingcapability MOSGateturn-on -drivesimplicity Voltageratingguaranteedathightemperature(125°C)	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGH30N60B	文件：53.49 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFASTTMIGBT Features •Internationalstandardpackages JEDECTO-268surface mountableandJEDECTO-247AD •Highcurrenthandlingcapability •LatestgenerationHDMOS™process •MOSGateturn-on -drivesimplicity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGM30N60	文件：64.75 Kbytes Page：2 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT Features Internationalstandardpackages 2ndgenerationHDMOS™process LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses Highcurrenthandlingcapability MOSGateturn-on -drivesimplicity Voltageratingguaranteedathightemperature(125°C)	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGM30N60A	文件：64.75 Kbytes Page：2 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighspeedIGBT Features Internationalstandardpackages 2ndgenerationHDMOS™process LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses Highcurrenthandlingcapability MOSGateturn-on -drivesimplicity Voltageratingguaranteedathightemperature(125°C)	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXSH30N60	文件：241.71 Kbytes Page：2 Pages	LowVCE(sat)IGBT,HighSpeedIGBT LowVCE(sat)IGBTHighSpeedIGBT ShortCircuitSOACapability Features •Internationalstandardpackages •GuaranteedShortCircuitSOAcapability •LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses •Highcurrenthandlingcapability •MOSGateturn-on -drivesimplicity •Fast	IXYS IXYS Corporation	IXYS

详细参数

型号：
IXFT30N60Q
功能描述：
MOSFET 30 Amps 600V 0.23W Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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