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IXFV18N90PS	文件：203.76 Kbytes Page：5 Pages	Polar Power MOSFET HiPerFET Polar™PowerMOSFETHiPerFET™ N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features •InternationalStandardPackages •AvalancheRated •LowPackageInductance •FastIntrinsicDiode Advantages •HighPowerDensity •EasytoMount •SpaceSavings Applications •Sw	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
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IXFH18N90P	文件：338.15 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=18A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.6Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFR18N90	文件：330.41 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=10.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=660mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFR18N90P	文件：121.57 Kbytes Page：4 Pages	PolarPowerMOSFETHiPerFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
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详细参数

型号：
IXFV18N90PS
功能描述：
MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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