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IXFT12N50F	文件：303.26 Kbytes Page：2 Pages	HiPerRF Power MOSFETs F-Class: MegaHertz Switching HiPerRF™PowerMOSFETs F-Class:MegaHertzSwitching	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTA12N50P	文件：164.69 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated FastIntrinsicRectifier Features •InternationalStandardPackages •Dynamicdv/dtRating •AvalancheRated •FastIntrinsicRectifier •LowQG •LowRDS(on) •LowDrain-to-TabCapacitance •LowPackageInductance Advantages •EasytoMount	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTA12N50P	文件：298.8 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTH12N50	文件：65.16 Kbytes Page：1 Pages	12AMPS,450-500V,0.4OM/0.5OM ComingSoon. Ifyouhavesomeinformationonrelatedparts,pleaseshareusefulinformationbyaddinglinksbelow.	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTH12N50	文件：321.57 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTH12N50A	文件：97.86 Kbytes Page：4 Pages	StandardPowerMOSFET Features ●Internationalstandardpackages ●LowRDS(on)HDMOS™process ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Lowpackageinductance(	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTM12N50	文件：65.16 Kbytes Page：1 Pages	12AMPS,450-500V,0.4OM/0.5OM ComingSoon. Ifyouhavesomeinformationonrelatedparts,pleaseshareusefulinformationbyaddinglinksbelow.	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTM12N50A	文件：97.86 Kbytes Page：4 Pages	StandardPowerMOSFET Features ●Internationalstandardpackages ●LowRDS(on)HDMOS™process ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Lowpackageinductance(	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTP12N50P	文件：294.62 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTP12N50PM	文件：119.95 Kbytes Page：5 Pages	PolarTMPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS

详细参数

型号：
IXFT12N50F
功能描述：
MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市永贝尔科技有限公司	IXFT12N50F	IXYS	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	IXFT12N50F	IXYS	20+	TO-247	36900	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	IXFT12N50F	IXYS/艾赛斯	23+	TO-247	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	IXFT12N50F	IXYS/艾赛斯	22+	TO-247	6000	十年配单,只做原装	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	IXFT12N50F	IXYS/艾赛斯	23+	TO-247	6000	原装正品，支持实单	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	IXFT12N50F	IXYS/艾赛斯	24+	NA/	8675	原装现货,当天可交货,原型号开票	询价
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更多IXFT12N50F供应商更新时间2025-7-24 9:03:00

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