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IXTA12N50P	文件：164.69 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated FastIntrinsicRectifier Features •InternationalStandardPackages •Dynamicdv/dtRating •AvalancheRated •FastIntrinsicRectifier •LowQG •LowRDS(on) •LowDrain-to-TabCapacitance •LowPackageInductance Advantages •EasytoMount	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTA12N50P	文件：298.8 Kbytes Page：2 Pages	Marking：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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IXTH12N50	文件：321.57 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTH12N50A	文件：97.86 Kbytes Page：4 Pages	StandardPowerMOSFET Features ●Internationalstandardpackages ●LowRDS(on)HDMOS™process ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Lowpackageinductance(	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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IXTP12N50PM	文件：119.95 Kbytes Page：5 Pages	PolarTMPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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详细参数

型号：
IXTA12N50P
功能描述：
MOSFET 12.0 Amps 500 V 0.5 Ohm Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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