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IXTA12N50P数据手册Littelfuse中文资料规格书
IXTA12N50P规格书详情
特性 Features
• 国际标准包装
• 动态dv/dt评级
• 较低的RDS(on)和Qg
• 雪崩评级
• 较低的封装电感
应用 Application
• DC-DC转换器
• 电池充电器
• 开关模式和谐振模式电源
• 灯镇流器
• 交流和直流电机驱动器
• 机器人和伺服控制
• 激光驱动器
技术参数
- 型号：
IXTA12N50P
- 功能描述：
MOSFET 12.0 Amps 500 V 0.5 Ohm Rds
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IXYS |
24+ |
TO-263 |
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