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IXTA120P065T规格书详情
特性 Features
• 快速本征二极管
• 较低的Qg和RDSon
• 雪崩评级
• 加大的FBSOA
• 国际标准包装
应用 Application
• 高压侧开关
• 负载开关
• 低电压应用
• 高效开关电源
• 逆变器和电池充电器
技术参数
- 型号：
IXTA120P065T
- 功能描述：
MOSFET -120 Amps -65V 0.01 Rds
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
24+ |
TO-263 |
80000 |
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原装正品 |
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TO-263 |
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IXYS/艾赛斯 |
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IXYS |
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IXYS |
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IXYS |
22+ |
NA |
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IXYS |
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