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IXTA5N60P	文件：125.65 Kbytes Page：4 Pages	PolarHV Power MOSFET 文件：125.65 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTA5N60P	文件：299.05 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：299.05 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXTA5N60P	文件：300 bytes Page：1 Pages	N通道标准 Polar™ MOSFET • 国际标准包装 \n• 动态dv/dt评级\n• 较低的RDS(ON)和Qg\n• 雪崩评级\n• 较低的封装电感;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXTP5N60P	文件：125.65 Kbytes Page：4 Pages	PolarHVTM Power MOSFET 文件：125.65 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTP5N60P	文件：125.65 Kbytes Page：4 Pages	PolarHV Power MOSFET 文件：125.65 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTP5N60P	文件：294.87 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：294.87 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

技术参数

Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm)：
1.7
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A)：
5
Gate Charge (nC)：
14.2
Thermal resistance [junction-case](K/W)：
1.25
Configuration：
Single
Package Type：
TO-263
Typical Reverse Recovery Time (ns)：
500
Power Dissipation (W)：
100
Sample Request：
No
Replaced By Part Number：
IXTA8N65X2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IXTA5N60P供应商更新时间2025-10-9 14:00:00

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