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IXTA6N50D2

Depletion Mode MOSFET

文件:193.17 Kbytes 页数:5 Pages

IXYS

艾赛斯

IXTA6N50D2

N-Channel MOSFET

文件:179.81 Kbytes 页数:6 Pages

IXYS

艾赛斯

IXTA6N50D2

N沟道耗尽型MOSFET

• “常开”运行状态\n• 线性模式容限\n• 较低的RDS(on)\n• 可使用体二极管\n• 内部标准封装\n• 拥有UL 94 V-0易燃性认证 成型环氧树脂;

Littelfuse

力特

IXTA6N50D2_17

N-Channel MOSFET

文件:179.81 Kbytes 页数:6 Pages

IXYS

艾赛斯

技术参数

  • Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm):

    0.5

  • Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A):

    6

  • Gate Charge (nC):

    96

  • Thermal resistance [junction-case](K/W):

    0.41

  • Configuration:

    Single

  • Package Type:

    TO-263

  • Power Dissipation (W):

    300

  • Max Off-state Gate-Source Voltage (V):

    -4

  • Sample Request:

    Yes

  • Check Stock:

    Yes

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IXTA6N50D2供应商 更新时间2025-10-12 8:01:00