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IXTA3N60P

PolarHVTM Power MOSFET

文件:227.72 Kbytes 页数:4 Pages

IXYS

艾赛斯

IXTA3N60P

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

文件:234.48 Kbytes 页数:4 Pages

IXYS

艾赛斯

IXTA3N60P

丝印:D2PAK;Package:TO-263;isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:299.66 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IXTA3N60P

N通道标准 Polar™ MOSFET

• 国际标准包装 \n• 动态dv/dt评级\n• 较低的RDS(ON)和Qg\n• 雪崩评级\n• 较低的封装电感;

Littelfuse

力特

技术参数

  • Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm):

    2.9

  • Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A):

    3

  • Gate Charge (nC):

    9.8

  • Thermal resistance [junction-case](K/W):

    1.8

  • Configuration:

    Single

  • Package Type:

    TO-263

  • Typical Reverse Recovery Time (ns):

    500

  • Power Dissipation (W):

    70

  • Sample Request:

    No

  • Replaced By Part Number:

    IXTA4N65X2

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更多IXTA3N60P供应商 更新时间2025-10-9 15:30:00