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IXFR80N10Q

MOSFET N-CH 100V 76A ISOPLUS247

Littelfuse

力特

IXFT80N10

HiPerFET Power MOSFETs

VDSS = 100 V ID25 = 80 A RDS(on) = 12.5 mΩ trr ≤ 200 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt Features International standard packages Low RDS (on) Rated for unclamped Inductive load switching (UIS) Molding epoxies meet UL 94 V-0 flammabilit

文件:93.07 Kbytes 页数:2 Pages

IXYS

艾赛斯

IXFT80N10Q

HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

VDSS = 100 V ID25 = 80 A RDS(on) = 15 mΩ trr≤ 200ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dV/dt Low Gate Charge and Capacitances Features • IXYS advanced low gate charge process • International standard packages • Low gate charge and capacitance - ea

文件:55.78 Kbytes 页数:2 Pages

IXYS

艾赛斯

IXTA80N10T

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:294.45 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

详细参数

  • 型号:

    IXFR80N10Q

  • 功能描述:

    MOSFET 80 Amps 100V 0.018 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多IXFR80N10Q供应商 更新时间2025-11-8 11:04:00