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FQA30N40	文件：732.38 Kbytes Page：8 Pages	400VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQA30N40	文件：362.4 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.14Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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TGPF30N40P	文件：820.7 Kbytes Page：6 Pages	•400VTrenchTechnology Features: •400VTrenchTechnology •HighSpeedSwitching •LowConductionLoss •PositiveTemperatureCoefficient •EasyparallelOperation •RoHScompliant •JEDECQualification Applications: PlasmaDisplayPanel,Softswitchingapplication,	TRinno TRinno Technology Co., Ltd.	TRinno
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详细参数

型号：
IXFT30N40Q
功能描述：
MOSFET 30 Amps 400V 0.16 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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