IRFD020资料datasheet下载供应代理威世科技-114ic电子网

首页 >IRFD020>规格书列表

零件编号	下载订购	功能描述/丝印	制造商上传企业	LOGO
IRFD020	文件：248.45 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES •Forautomaticinsertion •Compact,endstackable •Fastswitching •Easeofparalleling •Excellenttemperaturestability •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION TheHVMDIPtechnologyisthekeytoVishay’sadva	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD020	文件：238.94 Kbytes Page：6 Pages	HEXFET TRANSISTORS N-CHANNEL HEXDIP 50Volt,0.10Ohm,1-WattHEXDIP HEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifiersadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingoftheHEXFETdesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedevicerugg	IRF International Rectifier	IRF
IRFD020	文件：222.71 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION TheHVMDIPtechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingoftheHVMDIPdesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness.HVMDIPsfeatureallofthe	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD020	文件：246.45 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集团	TFUNK
IRFD020_V01	文件：248.45 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES •Forautomaticinsertion •Compact,endstackable •Fastswitching •Easeofparalleling •Excellenttemperaturestability •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION TheHVMDIPtechnologyisthekeytoVishay’sadva	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD020PBF	文件：222.71 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION TheHVMDIPtechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingoftheHVMDIPdesignachievesverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness.HVMDIPsfeatureallofthe	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD020PBF	文件：248.45 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
IRFD020
功能描述：
MOSFET N-Chan 50V 2.4 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市纳艾斯科技有限公司	IRFD020	IR	24+	DIP-4	8000	只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增	询价
深圳市坤融电子科技有限公司	IRFD020	IR	24+	DIP4	127	只做原厂渠道可追溯货源	询价
深圳市联世界科技有限公司	IRFD020	IR	24+/25+		206	原装正品现货库存价优	询价
深圳市星佑电子有限公司	IRFD020	IR	05+	原厂原装	4365	只做全新原装真实现货供应	询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	IRFD020	IR	23+	DIP-4	8238		询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	IRFD020	INTEL	23+	DIP-4	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市一线半导体有限公司	IRFD020	IOR	24+	DIP-4P	201		询价
深圳市博浩通科技有限公司	IRFD020	IR	23+	DIP-4	3200	全新原装现货	询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	IRFD020	IR	2020+	DIP	4300	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
深圳市恒创达实业有限公司	IRFD020	IR	17+	DIP-4	6200	100%原装正品现货	询价

更多IRFD020供应商更新时间2025-7-21 22:30:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号