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IRF620S	文件：141.7 Kbytes Page：8 Pages	Vishay Siliconix DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The D2PAK (TO-263) is a surface mount power package capable of accommodating die size up to HEX-4. It provi 文件：141.7 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
IRF620S	文件：217.5 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES • Surface-mount • Available in tape and reel • Dynamic dv/dt rating • Repetitive avalanche rated • Fast switching • Simple drive requirements • Ease of paralleling • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note * This datashee 文件：217.5 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
IRF620S	文件：198.69 Kbytes Page：6 Pages	HEXFET Power MOSFET DESCRIPTION Third Generation Power MOSFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The SMD-220 is a surface mount power package capable of accommodating die size up to HEX-4 文件：198.69 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRF620S	文件：148.75 Kbytes Page：1 Pages	Power MOSFET Power MOSFET VDSS =200V, RDS(on) = 0.80 ohm, ID = 5.2 A 文件：148.75 Kbytes 页数：1 Pages	TEL 东电电子	TEL
IRF620S	文件：141.7 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：141.7 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
IRF620STRLPBF	文件：141.7 Kbytes Page：8 Pages	Vishay Siliconix DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The D2PAK (TO-263) is a surface mount power package capable of accommodating die size up to HEX-4. It provi 文件：141.7 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
IRF620SPBF	文件：217.5 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：217.5 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
IRF620SPBF	文件：1.82495 Mbytes Page：9 Pages	HEXFET POWER MOSFET (VDSS=200V , RDS(on)=0.80廓 , ID=5.2A ) 文件：1.82495 Mbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF620STRL	文件：141.7 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：141.7 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
IRF620STRLPBFA	文件：217.5 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：217.5 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay

详细参数

型号：
IRF620S
功能描述：
MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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