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IRF620B	文件：875.31 Kbytes Page：10 Pages	200V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandh	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF620FI	文件：184.68 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTORS N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTORS ■TYPICALRDS(on)=0.55Ω ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C APPLICATIONS ■HIGHCURRENT,HIGHSPEEDSWITCHING ■UNINTERRUPTIBLEPOWERSUPPLY(UPS) ■MOTORCONTROL,AUDIOAMPLIFIERS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
IRF620FI	文件：43.05 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF620N	文件：173.94 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOSFET	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
IRF620PBF	文件：884.29 Kbytes Page：7 Pages	HEXFETPowerMOSFET DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpower	IRF International Rectifier	IRF
IRF620PBF	文件：1.59241 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipati	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF620PBF	文件：107.31 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOSFET	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF620R	文件：45.07 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Designedforhighspeedapplications, suchasswitchingpowersupplies,ACandDC motorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulse. •FEATURES •LowRDS(on) •VGSRatedat±20V •SiliconGateforFastSwitchingSpeed •Rugged •LowDriveRequirements	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF620S	文件：198.69 Kbytes Page：6 Pages	HEXFETPowerMOSFET DESCRIPTION ThirdGenerationPowerMOSFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSMD-220isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizeuptoHEX-4	IRF International Rectifier	IRF
IRF620S	文件：148.75 Kbytes Page：1 Pages	PowerMOSFET PowerMOSFET VDSS=200V,RDS(on)=0.80ohm,ID=5.2A	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL

详细参数

型号：
IRF620B
功能描述：
MOSFET 200V Single
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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