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IRF6217PBF	文件：125.56 Kbytes Page：8 Pages	SMPS MOSFET HEXFET짰Power MOSFET Applications • Reset Switch for Active Clamp Reset DC to DC converters • Lead-Free Benefits • Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses • Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design (See App. Note AN1001) • Fully Characterized Avalanche 文件：125.56 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF6217PBF	文件：130.96 Kbytes Page：8 Pages	SMPS MOSFET Applications • Reset Switch for Active Clamp Reset DC to DC converters • Lead-Free Benefits • Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses • Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design (See App. Note AN1001) • Fully Characterized Avalanche 文件：130.96 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF6217PBF_15	文件：130.949 Kbytes Page：8 Pages	Reset Switch for Active Clamp Reset DC to DC converters 文件：130.949 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF6217PBF-1	文件：200.43 Kbytes Page：8 Pages	Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：200.43 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF6217PBF-1_15	文件：200.43 Kbytes Page：8 Pages	Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：200.43 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF6217PBF-1	文件：300 bytes Page：1 Pages	-150V 单个 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装 \n优势:\n• 工业标准引出线 SO-8 封装\n• 与现有表面封装技术兼容\n• 符合 RoHS ，无卤素\n• 符合MSL1，工业认证;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

VDS max：
-150.0V
RDS (on)(@10V) max：
2400.0mΩ
RDS (on) max：
2400.0mΩ
Polarity ：
P
ID (@ TA=25°C) max：
-0.7A
ID (@ TA=70°C) max：
-0.5A
Ptot(@ TA=25°C) max：
2.5W
QG ：
6.0nC
Mounting ：
SMD
RthJA max：
50.0K/W
VGS max：
20.0V
Moisture Sensitivity Level ：
1
Qgd ：
2.8nC
Tj max：
150.0°C

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更多IRF6217PBF供应商更新时间2026-1-22 9:19:00

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