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IRF6156	文件：249.11 Kbytes Page：13 Pages	FlipFET Power MOSFET Description True chip-scale packaging is available from International Rectifier. Through the use of advanced processing techniques and a unique packaging concept, extremely low on-resistance and the highest power densities in the industry have been made available for battery and load management a 文件：249.11 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
IRF6156	文件：300 bytes Page：1 Pages	FlipFET Power MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon
PVC6156	文件：289.14 Kbytes Page：6 Pages	Polyester and Polypropylene Film/Foil Capacitors 文件：289.14 Kbytes 页数：6 Pages	CDE	CDE
SFH6156	文件：84.27 Kbytes Page：1 Pages	Optocouplers DESCRIPTION The SFH6106, 6116, 6156, 6186, 6206, 6286 families of optocouplers are lead bent for SMD applications. They are electrically equivalent to the SFH610, 615, 618, 620, and 628 families of optocouplers. FEATURES • SMD Versions of SFH610, 615, 618, 620, 628 • Available on Tape and Reel 文件：84.27 Kbytes 页数：1 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
TSOP6156	文件：414.11 Kbytes Page：13 Pages	IR Receiver Modules for Remote Control Systems 文件：414.11 Kbytes 页数：13 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

详细参数

型号：
IRF6156
功能描述：
MOSFET 2N-CH 20V 6.5A FLIP-FET
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
-
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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