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IRF6156	文件：249.11 Kbytes Page：13 Pages	FlipFET Power MOSFET Description True chip-scale packaging is available from International Rectifier. Through the use of advanced processing techniques and a unique packaging concept, extremely low on-resistance and the highest power densities in the industry have been made available for battery and load management a 文件：249.11 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
IRF6156	文件：300 bytes Page：1 Pages	FlipFET Power MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon
LR6156	文件：385.29 Kbytes Page：7 Pages	Dual 300mA High PSRR LDO Two low dropout voltage regulators 文件：385.29 Kbytes 页数：7 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
N6156A	文件：1.9522 Mbytes Page：14 Pages	X-Series Measurement Application 文件：1.9522 Mbytes 页数：14 Pages	KEYSIGHT 是德科技	KEYSIGHT
NTE6156	文件：65.41 Kbytes Page：2 Pages	Silicon Industrial Rectifier 150 Amp, DO8 Description: The NTE6154 through NTE6165 power rectifiers are stud mounted DO8 type packages. Because the silicon junction is carefully fitted within a glass–to–metal hermetically sealed case, reliable operation is assured even with extreme humidity and under other severe environmental conditio 文件：65.41 Kbytes 页数：2 Pages	NTE	NTE

详细参数

型号：
IRF6156
功能描述：
MOSFET 2N-CH 20V 6.5A FLIP-FET
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
-
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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