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IRF6218S	文件：225.37 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET Applications Reset Switch for Active Clamp Reset DC-DC converters Benefits Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses Fully Characterized Capacitance Including Effective COSSto Simplify Design Fully Characterized Avalanche Voltage and Current 文件：225.37 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF6218S	文件：297.09 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；isc P-Channel MOSFET Transistor 文件：297.09 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF6218SPBF	文件：460.11 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：460.11 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF6218SPBF	文件：305.59 Kbytes Page：9 Pages	Reset Switch for Active Clamp Reset DC-DC converters 文件：305.59 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF6218SPBF_15	文件：236.31 Kbytes Page：9 Pages	Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses 文件：236.31 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF6218STRLPBF	文件：305.59 Kbytes Page：9 Pages	Reset Switch for Active Clamp Reset DC-DC converters 文件：305.59 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF6218STRLPbF	文件：460.11 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：460.11 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF6218S	文件：300 bytes Page：1 Pages	-150V 单个 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2Pak 封装 \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度\n• P 通道MOSFET;	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Package ：
D2PAK (TO-263)
VDS max：
-150.0V
RDS (on) max：
150.0mΩ
RDS (on)(@10V) max：
150.0mΩ
Polarity ：
P
ID (@ TC=25°C) max：
-27.0A
ID max：
-19.0A
ID (@ TC=100°C) max：
-19.0A
Ptot max：
250.0W
QG ：
21.0nC
RthJC max：
0.61K/W
Mounting ：
SMD
Moisture Sensitivity Level ：
1
Qgd ：
32.0nC
VGS max：
20.0V
Tj max：
175.0°C

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