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IRF5305	文件：124.32 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-31A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieve extremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,pr	IRF International Rectifier	IRF
IRF5305	文件：3.15583 Mbytes Page：8 Pages	Advanced Process Technology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF5305	文件：3.58041 Mbytes Page：8 Pages	-55V P-Channel MOSFET Features VDS(V)=-55V ID=-31A(VGS=-10V) RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
IRF5305L	文件：171.24 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-31A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieve extremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedand ruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRF5305L	文件：1.22797 Mbytes Page：10 Pages	Advanced Process Technology Description TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovidesthe highestpowercapabilityandthelowestpossibleonresistanceinanyexistingsurfacemountpackage.TheD2Pakissuitableforhighcurrentapplicationsbecauseofitslowinte	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF5305LPBF	文件：697.05 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF5305LPBF	文件：4.33232 Mbytes Page：10 Pages	Advanced Process Technology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF5305PBF	文件：723.45 Kbytes Page：8 Pages	Marking：IRF5305；Package：TO-220；-60V P-Channel MOSFET Features VDS(V)=-60V ID=-31A(VGS=-10V) *RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
IRF5305S	文件：171.24 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-31A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieve extremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedand ruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRF5305S	文件：1.09618 Mbytes Page：10 Pages	Advanced Process Technology Description TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovidesthe highestpowercapabilityandthelowestpossibleonresistanceinanyexistingsurfacemountpackage.TheD2Pakissuitableforhighcurrentapplicationsbecauseofitslowinte	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

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详细参数

型号：
IRF530
功能描述：
MOSFET N-Chan 100V 9.2 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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