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IRF530N	文件：125.62 Kbytes Page：10 Pages	22A, 100V, 0.064 Ohm, N-Channel Power MOSFET Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.064Ω,VGS=10V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE™andSABER©ElectricalModels -SpiceandSABER©ThermalImpedanceModels -www.intersil.com •PeakCurrentvsPulseWidthCurve •UISRatingCurve	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF530N	文件：286.07 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor •DESCRITION •reliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.09Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperati	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF530NL	文件：618.07 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRF530NL	文件：1.5565 Mbytes Page：10 Pages	Ultra Low On-Resistance Description TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovidesthehighestpowercapabilityandthelowestpossibleon-resistanceinanyexistingsurfacemountpackage.TheD2Pakissuitableforhighcurrentapplicationsbecauseofitslowinter	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF530NL	文件：300.47 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor •FEATURES •WithTo-262package •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF530NLPBF	文件：275.75 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRF530NLPBF	文件：876.19 Kbytes Page：4 Pages	Advanced Process Technology Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRF530NPBF	文件：188.59 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr	IRF International Rectifier	IRF
IRF530NPBF	文件：972.88 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •175°CJunctionTemperature •LowThermalResistancePackage •100RgTested APPLICATIONS •IsolatedDC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRF530NS	文件：618.07 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF

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详细参数

型号：
IRF530
功能描述：
MOSFET N-Chan 100V 9.2 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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