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IRF510S	文件：178.41 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.54ohm,Id=5.6A)	IRF International Rectifier	IRF
IRF510S	文件：176.75 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheD2PAK(TO-263)isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.It	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF510S	文件：217.2 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •Dynamicdv/dtrating •Repetitiveavalancherated •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatas	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF510SPBF	文件：331.86 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
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IRFI510A	文件：274.47 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFI510G	文件：174.92 Kbytes Page：6 Pages	HEXFETPOWERMOSFET Through-HolePackags TO-220FullPak(FullyIsolated)	IRF International Rectifier	IRF
IRFI510G	文件：1.03226 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
IRF510L
功能描述：
MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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