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IRF510N	文件：70.43 Kbytes Page：7 Pages	5.6A,100V,0.540Ohm,N-ChannelPowerMOSFET 5.6A,100V,0.540Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETs	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF510N	文件：1.06464 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipatio	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF510N	文件：252.81 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES •AvalancheRuggedTechnology •RuggedGateOxideTechnology •LowerInputCapacitance •ImprovedGateCharge •ExtendedSafeOperatingArea •175°COperatingTemperature •LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V •LowerRDS(ON):0.289Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF510N	文件：176.75 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheD2PAK(TO-263)isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.It	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF510N	文件：175.7 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.54ohm,Id=5.6A) HEXFETpowerMOSFET.VDSS=100V,RDS(on)=0.54Ohm,ID=5.6A	IRF International Rectifier	IRF
IRF510N	文件：111.42 Kbytes Page：2 Pages	RepetitiveAvalancheRated	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF510N	文件：331.86 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF510N	文件：178.41 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.54ohm,Id=5.6A)	IRF International Rectifier	IRF
IRF510PBF	文件：236.57 Kbytes Page：7 Pages	HEXFETPOWERMOSFET HEXFETPOWERMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
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详细参数

型号：
IRF510L
功能描述：
MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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