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IRF520A	文件：243.94 Kbytes Page：7 Pages	Advanced Power MOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■175°COperatingTemperature ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ■LowerRDS(ON):0.155Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF520A	文件：280.41 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF520FI	文件：181.76 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTORS N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTORS ■TYPICALRDS(on)=0.23Ω ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■LOWGATECHARGE ■HIGHCURRENTCAPABILITY ■175°COPERATINGTEMPERATURE APPLICATIONS ■HIGHCURRENT,HIGHSPE	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
IRF520FI	文件：55.23 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •HighCurrent,HighSpeedSwitching •DC-DC&DC-ACConverters •MotorControl,AudioAmplifiers •FEATURES •TypicalRDS(on)=0.23Ω •AvalancheRuggedTechnology •HighCurrentCapability •LowGateCharge •175℃OperatingTemperature	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF520L	文件：185.16 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.20ohm,Id=9.7A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF520N	文件：116.9 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.20Ohm,Id=9.7A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF520N	文件：294.54 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF520NL	文件：1.09122 Mbytes Page：10 Pages	Low-profilethrough-hole(IRF520NL) Description TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovidesthehighestpowercapabilityandthelowestpossibleon-resistanceinanyexistingsurfacemountpackage.TheD2Pakissuitableforhighcurrentapplicationsbecauseofitslowin	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF520NL	文件：195.99 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF520NL	文件：300.27 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
IRF520A
功能描述：
MOSFET 9.2A 100V .4 OHM
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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