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IRF510S	文件：178.41 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=5.6A)	IRF International Rectifier	IRF
IRF510S	文件：176.75 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness.TheD2PAK(TO-263)isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.It	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF510S	文件：217.2 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •Dynamicdv/dtrating •Repetitiveavalancherated •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatas	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF510S_V01	文件：217.2 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •Dynamicdv/dtrating •Repetitiveavalancherated •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatas	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF510SPBF	文件：331.86 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF510SPBF	文件：217.2 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF510STRLPBFA	文件：217.2 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF510STRRPBFA	文件：217.2 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
IRF510S
功能描述：
MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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