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IRFR024NPBF	文件：4.03053 Mbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR024NPBF	文件：406.05 Kbytes Page：11 Pages	ULTRALOWONRESISTANCE	IRF International Rectifier	IRF
IRFR024NPBF	文件：4.00212 Mbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR024NPBF	文件：406.05 Kbytes Page：11 Pages	UltraLowOn-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
IRFR024NTR	文件：537.48 Kbytes Page：7 Pages	TheD-PAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechnigues. Features VDS(V)=55V ID=17A(VGS=10V) RDS(ON)=75mW(VGS=10V)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
IRFR024NTR	文件：466.35 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET Description TheD-PAKisdesignedforsurfacemounting usingvaporphase,infrared,orwavesoldering technigues.Powerdissipationlevelsupto1.5 wattsarepossibleintypicalsurfacemountapplications. Features VDS(V)=55V ID=17A(VGS=10V) RDS(ON)=75mW(VGS=10V)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
IRFR024NTRL	文件：4.00212 Mbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR024NTRLPBF	文件：406.05 Kbytes Page：11 Pages	UltraLowOn-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
IRFR024NTRPBF	文件：1.04371 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRFR024NTRPBF	文件：406.05 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRF024
功能描述：
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-204AA

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更多IRF024供应商更新时间2025-5-24 11:04:00

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