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IRFR024NTR	文件：537.48 Kbytes Page：7 Pages	The D-PAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared,or wave soldering technigues. Features VDS(V)=55V ID=17A(VGS=10V) RDS(ON)=75mW(VGS=10V)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
IRFR024NTR	文件：466.35 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET Description TheD-PAKisdesignedforsurfacemounting usingvaporphase,infrared,orwavesoldering technigues.Powerdissipationlevelsupto1.5 wattsarepossibleintypicalsurfacemountapplications. Features VDS(V)=55V ID=17A(VGS=10V) RDS(ON)=75mW(VGS=10V)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
IRFR024NTRL	文件：4.00212 Mbytes Page：10 Pages	Ultra Low On-Resistance	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR024NTRLPBF	文件：406.05 Kbytes Page：11 Pages	Ultra Low On-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
IRFR024NTRPBF	文件：1.04371 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRFR024NTRPBF	文件：406.05 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF

更多IRFR024NTR供应商更新时间2025-7-24 16:36:00