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IRF1104L	文件：208.86 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET VDSS = 40V RDS(on) = 0.009Ω ID = 100A Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design th 文件：208.86 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF1104LPBF	文件：263.14 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET VDSS = 40V RDS(on) = 0.009Ω ID = 100A Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design t 文件：263.14 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF1104L	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 TO-262 封装的 40V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF1104PBF	文件：190.33 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 40V , RDS(on) = 0.009廓 , ID = 100A ) VDSS = 40V RDS(on) = 0.009Ω ID = 100A Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design th 文件：190.33 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF1104PBF	文件：191.29 Kbytes Page：9 Pages	Advanced Process Technology 文件：191.29 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF1104S	文件：208.86 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET VDSS = 40V RDS(on) = 0.009Ω ID = 100A Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design th 文件：208.86 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF

技术参数

VDS max：
40.0V
RDS (on) max：
9.0mΩ
RDS (on)(@10V) max：
9.0mΩ
Polarity ：
N
ID (@ TC=100°C) max：
71.0A
ID max：
71.0A
ID (@ TC=25°C) max：
100.0A
Ptot max：
170.0W
QG ：
62.0nC
Mounting ：
THT
Qgd ：
10.0nC
RthJC max：
0.9K/W
Tj max：
175.0°C
VGS max：
20.0V

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