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IRF1104	文件：101.15 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.009ohm, Id=100A?? VDSS = 40V RDS(on) = 0.009Ω ID = 100A Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design th 文件：101.15 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF1104	文件：338.55 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：338.55 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF1104	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 TO-220 封装的 40V 单 N 沟道功率 MOSFET \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF1104L	文件：208.86 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET VDSS = 40V RDS(on) = 0.009Ω ID = 100A Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design th 文件：208.86 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF1104LPBF	文件：263.14 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET VDSS = 40V RDS(on) = 0.009Ω ID = 100A Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design t 文件：263.14 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF1104PBF	文件：190.33 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 40V , RDS(on) = 0.009廓 , ID = 100A ) VDSS = 40V RDS(on) = 0.009Ω ID = 100A Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design th 文件：190.33 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF1104S	文件：208.86 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET VDSS = 40V RDS(on) = 0.009Ω ID = 100A Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design th 文件：208.86 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF1104SPBF	文件：263.14 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET VDSS = 40V RDS(on) = 0.009Ω ID = 100A Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design t 文件：263.14 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF1104PBF	文件：191.29 Kbytes Page：9 Pages	Advanced Process Technology 文件：191.29 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF1104PBF_15	文件：191.29 Kbytes Page：9 Pages	Advanced Process Technology 文件：191.29 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF

技术参数

OPN：
IRF1104PBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
TO220
VDS max：
40 V
RDS (on) @10V max：
9 mΩ
ID @25°C max：
100 A
QG typ @10V：
62 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V
VGS(th) max：
4 V
VGS(th)：
3 V
Technology：
IR MOSFET™

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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