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G4PF50W	文件：138.73 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR VCES=900V VCE(on)typ.=2.25V @VGE=15V,IC=28A Benefits •Lowerswitchinglossesallowmorecost-effectiveoperationandhenceefficientreplacementoflargerdieMOSFETsupto100kHz •Ofparticularbenefitinsingle-endedconvertersandPowerSupplies150Wandhigher •	IRF International Rectifier	IRF
G4PF50WD	文件：253.08 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE VCES=900V VCE(on)typ.=2.25V @VGE=15V,IC=28A Features •OptimizedforuseinWeldingandSwitch-ModePowerSupplyapplications •Industrybenchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies •50reductionofEoffparameter •LowIGBTconduct	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PF50W	文件：328.13 Kbytes Page：2 Pages	IGBT DESCRIPTION ·LowGateDriveRequirement ·HighCurrentHandlingCapability ·ShortCircuitCapability ·HighPowerDensity APPLICATIONS ·PowerInverters ·MotorDrives ·UPS,PFC ·HighVoltageAuxiliaries	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRG4PF50W	文件：138.73 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR VCES=900V VCE(on)typ.=2.25V @VGE=15V,IC=28A Benefits •Lowerswitchinglossesallowmorecost-effectiveoperationandhenceefficientreplacementoflargerdieMOSFETsupto100kHz •Ofparticularbenefitinsingle-endedconvertersandPowerSupplies150Wandhigher •	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PF50WD	文件：253.08 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE VCES=900V VCE(on)typ.=2.25V @VGE=15V,IC=28A Features •OptimizedforuseinWeldingandSwitch-ModePowerSupplyapplications •Industrybenchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies •50reductionofEoffparameter •LowIGBTconduct	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PF50WDPBF	文件：628.28 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE VCES=900V VCE(on)typ.=2.25V @VGE=15V,IC=28A Features •OptimizedforuseinWeldingandSwitch-ModePowerSupplyapplications •Industrybenchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies •50reductionofEoffparameter •LowIGBTconduct	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PF50WDPBF	文件：637.39 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PF50WPBF	文件：654.43 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PF50WPBF	文件：644.27 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR VCES=900V VCE(on)typ.=2.25V @VGE=15V,IC=28A Benefits •Lowerswitchinglossesallowmorecost-effectiveoperationandhenceefficientreplacementoflargerdieMOSFETsupto100kHz •Ofparticularbenefitinsingle-endedconvertersandPowerSupplies150Wandhigher •Reductionin	IRF International Rectifier	IRF

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