| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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10年
留言
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InfineonSOIC-28W |
75 |
26+ |
保证原装正品 深圳现货 |
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12年
留言
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IR原厂封装 |
6315 |
22+ |
原装正品,实单请联系 |
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8年
留言
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INFINEON/英飞凌SOP28 |
5000 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
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13年
留言
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INFINEONDIP28 |
22536 |
23+ |
进口原装现货,假一罚十,价格优惠 |
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6年
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PLCC-32(16.6x16.6) |
5000 |
24+ |
全新、原装 |
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IRDIP28 |
700000 |
23+ |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
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13年
留言
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IRDIP28 |
80000 |
24+ |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
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16年
留言
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IRSMD28P |
36800 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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12年
留言
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IRDIP28 |
9875 |
2540+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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11年
留言
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IR |
5000 |
26+ |
进口原装现货 |
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16年
留言
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ir原厂封装 |
50000 |
2023+ |
原装现货 |
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5年
留言
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Infineon Technologies28DIP |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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10年
留言
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IRDIP-28 |
4500 |
24+ |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
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17年
留言
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IORDIP-28P |
11 |
24+ |
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14年
留言
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IRDIP |
8238 |
26+ |
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
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13年
留言
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irN/A |
6980 |
26+ |
原装现货,可开13%税票 |
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10年
留言
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IR |
32488 |
23+ |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
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4年
留言
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IRDIP28 |
37935 |
24+ |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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19年
留言
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IRDIP28 |
661 |
0343A+ |
全新 发货1-2天 |
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13年
留言
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IRDIP28 |
22055 |
24+ |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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IR2135图片
IR2135STRPBF价格
IR2135STRPBF价格:¥44.5322品牌:IR
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IR2135中文资料Alldatasheet PDF
更多IR2135功能描述:IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 28-DIP RoHS:否 类别:集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件
IR2135J功能描述:IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 44-PLCC RoHS:否 类别:集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件
IR2135JPbF功能描述:功率驱动器IC 3 PHASE DRVR HI & LO SIDE INPUTS RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IR2135JTRPBF功能描述:功率驱动器IC 3Phs Drvr Hi&Lw Sd Inpt 200ns Deadtime RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IR2135PBF功能描述:功率驱动器IC 3Phs Drvr Hi&Lw Sd Inpt 200ns Deadtime RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IR2135S功能描述:IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 28-SOIC RoHS:否 类别:集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件
IR2135SPbF功能描述:功率驱动器IC 3 PHASE DRVR HI & LO SIDE INPUTS RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IR2135STR功能描述:IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 28-SOIC RoHS:否 类别:集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300,7.62mm) 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127
IR2135STRPBF功能描述:功率驱动器IC 3Phs Drvr Hi&Lw Sd Inpt 200ns Deadtime RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
产品属性
- 产品编号:
IR2135
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
集成电路(IC) > 栅极驱动器
- 包装:
管件
- 驱动配置:
半桥
- 通道类型:
3 相
- 栅极类型:
IGBT,N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电:
10V ~ 20V
- 逻辑电压 - VIL,VIH:
0.8V,2.2V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):
250mA,500mA
- 输入类型:
反相
- 上升/下降时间(典型值):
90ns,40ns
- 工作温度:
125°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
28-DIP(0.600",15.24mm)
- 供应商器件封装:
28-PDIP
- 描述:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28DIP


























