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IR2153

IR2153

IRDIP8/SOP8

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深圳市勤思达科技有限公司

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IR2153PBF

IRDIP8

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深圳市誉兴微科技有限公司

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IR21531STRPBF

InfineonSOIC-8

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原装

深圳市龙瀚电子有限公司

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IR2153PBF

IRDIP-8

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IR2153

IR2153

IRDIP

6500

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十七年专营原装现货一手货源,样品免费送

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IR2153PBF

INFINEON/英飞凌DIP-8

45623

2025+

原装价美 支持实单

深圳市拓亿芯电子有限公司

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IR2153PBF

IR/INFINEONDIP

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只做原装正品

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IR2153STRPBF

IRN/A

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深圳市力仕科电子科技有限公司

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IR2153STRPBF

Infineon(英飞凌)SOP8

3425

25

QQ询价 绝对原装正品

深圳市智连鑫科技有限公司

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IR21531STRPBF

InfineonSOIC-8

8000

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原装,正品

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IRSOP8

33000

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一级代理/全新原装现货/长期供应!

深圳市联世界科技有限公司

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INFINEON/英飞凌SOP-8

8000

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深圳市科恒伟业电子有限公司

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IRSOP-8

9850

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只做原装正品现货或订货假一赔十!

深圳市赛尔通科技有限公司

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IRSOP-8

65400

23+

深圳市欧立现代科技有限公司

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IRSOP8

9518

26+

绝对原装现货,价格低,欢迎询购!

深圳市富利微电子科技有限公司

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INFINEON/英飞凌DIP8

33500

26+

全新进口原装现货,假一罚十

深圳市科恒伟业电子有限公司

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IRSOP-8

8575

2550+

只做原装正品现货或订货假一赔十!

深圳市正纳电子有限公司

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InfineonSOIC-8

2500

26+

保证原装正品 深圳现货

深圳市得捷芯城科技有限公司

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Infineon(英飞凌)SOIC-8

18798

25+

原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。

深圳市卓越微芯电子有限公司

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IRSOP8

9500

25+

百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可

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IR2153STRPBF价格

IR2153STRPBF价格:¥3.0321品牌:International

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IR2153S,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.

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IR2153S,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

IR21531STRPBF

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IR2153PBF

IR2153PBF

IR2153STRPBF IR2153 SOP-8 功率驱动器 【原装正品】

家庭 PMIC - 栅极驱动器 制造商 Infineon-Technologies 系列 - 包装 ? 带卷(TR) ? 驱动配置 半桥 通道类型 同步 驱动器数 2 栅极类型 N 沟道 MOSFET 电压 - 电源 10 V ~ 15.6 V 逻辑电压 - VIL,VIH - 电流 - 峰值输出(灌入,拉出) - 输入类型 RC 输入电路 高压侧电压 - 最大值(自举) 600V

IR2153STRPBF中文资料Alldatasheet PDF

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IR2153功能描述:IC DRVR HALF BRDG SELF-OSC 8-DIP RoHS:否 类别:集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件

IR21531功能描述:IC DRVR HALF BRDG SELF-OSC 8-DIP RoHS:否 类别:集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件

IR21531D功能描述:IC DRVR HALF BRDG SELF-OSC 8-DIP RoHS:否 类别:集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300,7.62mm) 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127

IR21531DPBF功能描述:功率驱动器IC HALF BRDG DRVR 600V 15.6Vclamp 0.6 RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube

IR21531PBF功能描述:功率驱动器IC HALF BRDG DRVR 600V 15.6Vclamp 0.6 RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube

IR21531S功能描述:IC DRVR HALF BRDG SELF-OSC 8SOIC RoHS:否 类别:集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件

IR21531SPbF功能描述:功率驱动器IC HALF BRDG DRVR 600V 15.6Vclamp 0.6 RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube

IR21531STR功能描述:IC DRVR HALF BRDG SELF-OSC 8SOIC RoHS:否 类别:集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300,7.62mm) 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127

IR21531STRPBF功能描述:功率驱动器IC HALF BRDG DRVR 600V 15.6Vclamp 0.6 RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube

IR21531STRPBF-CUT TAPE制造商:IR 功能描述:IR2153 Series 600 V 200 mA 15.6 V Supply Dual Half Bridge Driver - SOIC-8

产品属性

  • 产品编号:

    IR2153

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    散装

  • 驱动配置:

    半桥

  • 通道类型:

    同步

  • 栅极类型:

    N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    10V ~ 15.6V

  • 输入类型:

    RC 输入电路

  • 上升/下降时间(典型值):

    80ns,40ns

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    8-DIP(0.300",7.62mm)

  • 供应商器件封装:

    8-PDIP

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP