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IR2113S	文件：328.55 Kbytes Page：18 Pages	HIGH AND LOW SIDE DRIVER Description The IR2110/IR2113 are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. Logic inputs are compatible with standard CMOS o 文件：328.55 Kbytes 页数：18 Pages	IRF	IRF
IR2113S	文件：491.79 Kbytes Page：17 Pages	HIGH AND LOW SIDE DRIVER 文件：491.79 Kbytes 页数：17 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IR2113SPBF	文件：328.55 Kbytes Page：18 Pages	HIGH AND LOW SIDE DRIVER Description The IR2110/IR2113 are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. Logic inputs are compatible with standard CMOS o 文件：328.55 Kbytes 页数：18 Pages	IRF	IRF
IR2113STR	文件：334.13 Kbytes Page：18 Pages	HIGH AND LOW SIDE DRIVER Description The IR2110/IR2113 are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. Logic inputs are compatible with standard CMOS o 文件：334.13 Kbytes 页数：18 Pages	IRF	IRF
IR2113S	文件：300 bytes Page：1 Pages	600 V高边和低边栅极驱动器IC，具有关断功能 600 V 高边和低边驱动器 IC,具有典型的 2.5 A 拉电流和 2.5 A 灌电流，采用 16 引脚 SOICWB 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。也有 14 引脚 PDIP 封装可选。 • 专为自举操作设计的浮动通道\n• 完全运行时的电压高达 600V\n• 提供完全运行时的电压高达+500 V 的版本 (IR2110 )\n• 容许负瞬态电压高\n• 不受 dV/dt 影响\n• 栅极驱动供电电压范围：10 至 20V\n• 双通道欠压锁定\n• 3.3 V 逻辑兼容\n• 独立的逻辑供电电压范围：3.3 V 至 20 V\n• 逻辑和电源接地 +/- 5 V 偏移\n• 具有下拉的 CMOS 施密特触发输入\n• 逐周期边缘触发关断逻辑\n• 双通道的匹配传播延迟\n• 输出与输入同相\n\n优势:;	Infineon 英飞凌	Infineon
IR2113SPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC	Infineon 英飞凌	Infineon
IR2113STR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC	Infineon 英飞凌	Infineon
IR2113STRPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Product Status：
active/active
Voltage Class：
600 V
Output Current Source min：
2 A
Output Current Source：
2.5 A
Output Current Sink min：
2 A
Output Current Sink：
2.5 A
Channels：
2
Configuration：
High-side and low-side
Qualification：
Industrial
Isolation Type：
Functional levelshift
Switch Type：
IGBT/MOSFET
Package name：
SOIC 16W/SOIC 16W
UVLO Input Off：
8.2 V
UVLO Output Off：
8.2 V
Turn On Propagation Delay max：
150 ns
Turn On Propagation Delay：
120 ns
Turn Off Propagation Delay max：
125 ns
Turn Off Propagation Delay：
94 ns
Input Vcc min：
10 V
Input Vcc max：
20 V
Output Vbs min：
10 V
Output Vbs max：
20 V
Rise Time max：
35 ns
Rise Time：
25 ns
Fall Time max：
25 ns
Fall Time：
17 ns
UVLO Input On：
8.5 V
UVLO Output On：
8.6 V

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	IR2113S	IR	23+	SOP16	20000	原装正品,假一罚十	询价
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更多IR2113S供应商更新时间2025-10-11 15:36:00

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