IR2113S中文资料600 V高边和低边栅极驱动器IC, 具有关断功能数据手册Infineon规格书

厂商型号 |
IR2113S |
参数属性 | IR2113S 封装/外壳为16-SOIC(0.295",7.50mm 宽);包装为管件;类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC |
功能描述 | 600 V高边和低边栅极驱动器IC, 具有关断功能 |
封装外壳 | 16-SOIC(0.295",7.50mm 宽) |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-22 14:48:00 |
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IR2113S规格书详情
描述 Description
600 V 高边和低边驱动器 IC,具有典型的 2.5 A 拉电流和 2.5 A 灌电流,采用 16 引脚 SOICWB 封装,适用于 IGBT 和 MOSFET。也有 14 引脚 PDIP 封装可选。
特性 Features
• 专为自举操作设计的浮动通道
• 完全运行时的电压高达 600V
• 提供完全运行时的电压高达+500 V 的版本 (IR2110 )
• 容许负瞬态电压高
• 不受 dV/dt 影响
• 栅极驱动供电电压范围:10 至 20V
• 双通道欠压锁定
• 3.3 V 逻辑兼容
• 独立的逻辑供电电压范围:3.3 V 至 20 V
• 逻辑和电源接地 +/- 5 V 偏移
• 具有下拉的 CMOS 施密特触发输入
• 逐周期边缘触发关断逻辑
• 双通道的匹配传播延迟
• 输出与输入同相
优势:
简介
IR2113S属于集成电路(IC)的栅极驱动器。由制造生产的IR2113S栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。
技术参数
更多- 制造商编号
:IR2113S
- 生产厂家
:Infineon
- Product Status
:active/active
- Voltage Class
:600 V
- Output Current Source min
:2 A
- Output Current Source
:2.5 A
- Output Current Sink min
:2 A
- Output Current Sink
:2.5 A
- Channels
:2
- Configuration
:High-side and low-side
- Qualification
:Industrial
- Isolation Type
:Functional levelshift
- Switch Type
:IGBT/MOSFET
- Package name
:SOIC 16W/SOIC 16W
- UVLO Input Off
:8.2 V
- UVLO Output Off
:8.2 V
- Turn On Propagation Delay max
:150 ns
- Turn On Propagation Delay
:120 ns
- Turn Off Propagation Delay max
:125 ns
- Turn Off Propagation Delay
:94 ns
- Input Vcc min
:10 V
- Input Vcc max
:20 V
- Output Vbs min
:10 V
- Output Vbs max
:20 V
- Rise Time max
:35 ns
- Rise Time
:25 ns
- Fall Time max
:25 ns
- Fall Time
:17 ns
- UVLO Input On
:8.5 V
- UVLO Output On
:8.6 V
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