IR2110数据手册集成电路(IC)的栅极驱动器规格书PDF

厂商型号 |
IR2110 |
参数属性 | IR2110 封装/外壳为14-DIP(0.300",7.62mm);包装为散装;类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP |
功能描述 | 500 V high-side and low-side gate driver IC with shutdown |
封装外壳 | 14-DIP(0.300",7.62mm) |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-6 22:58:00 |
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IR2110规格书详情
描述 Description
500 V High and Low Side Driver IC with typical 2.5 A source and 2.5 A sink currents in 14 Lead PDIP package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 16 Lead SOIC WB.
特性 Features
• Floating channel designed for bootstrap operation
• Fully operational to +500 V
• Fully operational to +600 V verstion available (IR2113
• dV/dt immune
• Gate drive supply range from 10 to 20 V
• Undervoltage lockout for both channels
• 3.3 V logic compatible
• Separate logic supply range from 3.3 V to 20 V
• Logic and power ground + /- 5 V offset
• CMOS Schmitt-triggered inputs with pull-down
• Cycle by cycle edge-triggered shutdown logic
• Matched propagation delay for both channels
• Outputs in phase with inputs
优势:
简介
IR2110属于集成电路(IC)的栅极驱动器。由制造生产的IR2110栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。
技术参数
更多- 产品编号:
IR2110
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
集成电路(IC) > 栅极驱动器
- 包装:
散装
- 驱动配置:
半桥
- 通道类型:
独立式
- 栅极类型:
IGBT,N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电:
3.3V ~ 20V
- 逻辑电压 - VIL,VIH:
6V,9.5V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):
2A,2A
- 输入类型:
非反相
- 上升/下降时间(典型值):
25ns,17ns
- 工作温度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
14-DIP(0.300",7.62mm)
- 供应商器件封装:
14-DIP
- 描述:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2016+ |
DIP |
3000 |
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IR |
23+ |
DIP-14 |
6500 |
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IOR |
24+ |
DIP |
80000 |
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IR |
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NA |
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IR |
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IR |
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DIP |
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IRF |
三年内 |
1983 |
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INFINEON/英飞凌 |
2025+ |
DIP14 |
32000 |
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IR |
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DIP14 |
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IR |
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DIP-14 |
50000 |
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