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IR2110	文件：328.55 Kbytes Page：18 Pages	HIGH AND LOW SIDE DRIVER Description TheIR2110/IR2113arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.LogicinputsarecompatiblewithstandardCMOSo	IRF International Rectifier	IRF
IR2110	文件：333.79 Kbytes Page：18 Pages	IR2110(-1-2)(S)PbF/IR2113(-1-2)(S)PbF Features •Floatingchanneldesignedforbootstrapoperation Fullyoperationalto+500Vor+600V Toleranttonegativetransientvoltage dV/dtimmune •Gatedrivesupplyrangefrom10to20V •Undervoltagelockoutforbothchannels •3.3Vlogiccompatible Separatelogicsupplyrangefrom3.	SYC SYC Electronica	SYC
IR2110	文件：9.50242 Mbytes Page：24 Pages	HIGH VOLTAGE MOS GATE DRIVER	IRF International Rectifier	IRF
IR2110	文件：334.13 Kbytes Page：18 Pages	HIGH AND LOW SIDE DRIVER	IRF International Rectifier	IRF
IR2110	文件：491.79 Kbytes Page：17 Pages	HIGH AND LOW SIDE DRIVER	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IR2110	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：14-DIP（0.300"，7.62mm）；包装：散装类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IR2110-1	文件：334.13 Kbytes Page：18 Pages	IR2110(-1-2)(S)PbF/IR2113(-1-2)(S)PbF HIGH AND LOW SIDE DRIVER Description TheIR2110/IR2113arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.LogicinputsarecompatiblewithstandardCMOSo	IRF International Rectifier	IRF
IR2110-1PBF	文件：328.55 Kbytes Page：18 Pages	HIGH AND LOW SIDE DRIVER Description TheIR2110/IR2113arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.LogicinputsarecompatiblewithstandardCMOSo	IRF International Rectifier	IRF
IR2110-2PBF	文件：328.55 Kbytes Page：18 Pages	HIGH AND LOW SIDE DRIVER Description TheIR2110/IR2113arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.LogicinputsarecompatiblewithstandardCMOSo	IRF International Rectifier	IRF
IR2110E6	文件：369.12 Kbytes Page：14 Pages	HIGH AND LOW SIDE DRIVER Description TheIR2112(S)isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverwithindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.LogicinputsarecompatiblewithstandardCMOSorLSTT	IRF International Rectifier	IRF

产品属性

产品编号：
IR2110
制造商：
Infineon Technologies
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
散装
驱动配置：
半桥
通道类型：
独立式
栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
3.3V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：
6V，9.5V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
2A，2A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
25ns，17ns
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
14-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装：
14-DIP
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP

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