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IR2127S	文件：194.19 Kbytes Page：16 Pages	CURRENT SENSING SINGLE CHANNEL DRIVER Description The IR2127/IR2128/IR21271(S) is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL outputs, down to 3.3V. The protection circu 文件：194.19 Kbytes 页数：16 Pages	IRF	IRF
IR2127S	文件：201.73 Kbytes Page：16 Pages	CURRENT SENSING SINGLE CHANNEL DRIVER 文件：201.73 Kbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IR2127SPBF	文件：194.19 Kbytes Page：16 Pages	CURRENT SENSING SINGLE CHANNEL DRIVER Description The IR2127/IR2128/IR21271(S) is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL outputs, down to 3.3V. The protection circu 文件：194.19 Kbytes 页数：16 Pages	IRF	IRF
IR2127STRPBF	文件：199.68 Kbytes Page：16 Pages	CURRENT SENSING SINGLE CHANNEL DRIVER 文件：199.68 Kbytes 页数：16 Pages	IRF	IRF
IR2127S	文件：300 bytes Page：1 Pages	600 V single high-side gate driver IC with over current protection and fault reporting 600 V High Side Driver IC with typical 0.25 A source and 0.5 A sink currents in 8 Lead SOIC package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 8 Lead PDIP. • Floating channel designed for bootstrap operation\n• Fully operational to +600 V\n• Tolerant to negative transient voltage dV/dt immune\n• Application - specific gate drive range: 12 to 20 V (IR2127, IR2128 Output out of phase with input (IR2128 )\n\n优势:;	Infineon 英飞凌	Infineon
IR2127SPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC	Infineon 英飞凌	Infineon
IR2127STR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：散装类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC	Infineon 英飞凌	Infineon
IR2127STRPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Product Status：
active/active
Voltage Class：
600 V
Output Current Source min：
0.2 A
Output Current Source：
0.25 A
Output Current Sink min：
0.42 A
Output Current Sink：
0.5 A
Channels：
1
Configuration：
High-side
Qualification：
Industrial
Isolation Type：
Functional levelshift
Switch Type：
IGBT/MOSFET
Package name：
SOIC 8N/SOIC 8N
UVLO Output Off：
9 V
Turn On Propagation Delay max：
250 ns
Turn On Propagation Delay：
200 ns
Turn Off Propagation Delay max：
200 ns
Turn Off Propagation Delay：
150 ns
Input Vcc min：
10 V
Input Vcc max：
20 V
Output Vbs min：
12 V
Output Vbs max：
20 V
Rise Time max：
130 ns
Rise Time：
80 ns
Fall Time max：
65 ns
Fall Time：
40 ns
UVLO Output On：
10.3 V

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IR2127S供应商更新时间2025-12-9 15:36:00

技术参数

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