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IR2109S

HALF-BRIDGE DRIVER

Description The IR2109(4)(S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with dependent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or

文件:173.79 Kbytes 页数:9 Pages

IRF

IR2109S

HALF-BRIDGE DRIVER

文件:357.8 Kbytes 页数:25 Pages

Infineon

英飞凌

IR2109STRPBF

IR2109(4) (S) & (PBF) HALF-BRIDGE DRIVER

文件:355.91 Kbytes 页数:25 Pages

IRF

IR2109S

600 V half-bridge gate driver IC with shutdown

600 V 半桥驱动器 IC,具有典型的 0.2 A 拉电流和 0.35 A 灌电流,采用 8 引脚 SOIC 封装,适用于 IGBT 和 MOSFET。也有 8 引脚 PDIP、14 引脚 SOIC 和 14 引脚 PDIP 封装可选。 • 专为自举操作设计的浮动通道\n• 完全运行时的电压高达 600V\n• 容许负瞬态电压高\n• 不受 dV/dt 影响\n• 栅极驱动供电电压范围:10 至 20V\n• 双通道欠压锁定\n• 3.3V、5V 和 15V 逻辑输入兼容\n• 防止交叉传导逻辑\n• 双通道的匹配传播延迟\n• 高边输出与 IN 输入同相\n• 逻辑和电源接地 + /- 5 V 偏移\n• 内部死区时间为 540ns\n• 较低的 di/dt 栅极驱动器可获得更好的抗噪声性\n• 关断输入将关闭两个通道\n\n优势:;

Infineon

英飞凌

IR2109S

Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:散装 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Infineon

英飞凌

IR2109STR

Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:散装 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Infineon

英飞凌

IR2109STRPBF

Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Infineon

英飞凌

产品属性

  • 产品编号:

    IR2109S

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    散装

  • 驱动配置:

    半桥

  • 通道类型:

    同步

  • 栅极类型:

    IGBT,N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    10V ~ 20V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0.8V,2.9V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    200mA,350mA

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    150ns,50ns

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IR2109S供应商 更新时间2025-10-4 9:11:00