IR2109S

HALF-BRIDGE DRIVER

Description TheIR2109(4)(S)arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithdependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSor

IR2109S

600 V half-bridge gate driver IC with shutdown; • 专为自举操作设计的浮动通道\n• 完全运行时的电压高达 600V\n• 容许负瞬态电压高\n• 不受 dV/dt 影响\n• 栅极驱动供电电压范围：10 至 20V\n• 双通道欠压锁定\n• 3.3V、5V 和 15V 逻辑输入兼容\n• 防止交叉传导逻辑\n• 双通道的匹配传播延迟\n• 高边输出与 IN 输入同相\n• 逻辑和电源接地 + /- 5 V 偏移\n• 内部死区时间为 540ns\n• 较低的 di/dt 栅极驱动器可获得更好的抗噪声性\n• 关断输入将关闭两个通道\n\n优势:\n;

600 V 半桥驱动器 IC，具有典型的 0.2 A 拉电流和 0.35 A 灌电流，采用 8 引脚 SOIC 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。也有 8 引脚 PDIP、14 引脚 SOIC 和 14 引脚 PDIP 封装可选。\n

IR2109S

HALF-BRIDGE DRIVER

IR2109S

Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：散装 类别：集成电路（IC） 栅极驱动器 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

IR2109STRPBF

IR2109(4) (S) & (PBF) HALF-BRIDGE DRIVER

IR2109STR

Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：散装 类别：集成电路（IC） 栅极驱动器 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

IR2109STRPBF

Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：集成电路（IC） 栅极驱动器 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC