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IR2011S	文件：143.12 Kbytes Page：17 Pages	HIGH AND LOW SIDE DRIVER Description TheIR2011isahighpower,highspeedpowerMOSFETdriverwithindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels,idealforAudioClassDandDC-DCconverterapplications.LogicinputsarecompatiblewithstandardCMOSorLSTTLoutput,downto3.0Vlogic.Theoutputdriversfeat	IRF International Rectifier	IRF
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IR2011S	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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IR2011SPBF	文件：1.30916 Mbytes Page：18 Pages	High and Low Side Driver	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IR2011STRPBF	文件：235.34 Kbytes Page：17 Pages	HIGH AND LOW SIDE DRIVER	IRF International Rectifier	IRF
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IR2011STRPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

产品属性

产品编号：
IR2011S
制造商：
Infineon Technologies
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）
驱动配置：
高压侧或低压侧
通道类型：
独立式
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.7V，2.2V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
1A，1A
输入类型：
反相
上升/下降时间（典型值）：
35ns，20ns
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC

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